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建设地点

广东广州黄埔区中新广州知识城新能源新材料及智能芯片园内，人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以东地块

建设单位

广州辰微电子科技有限公司

项目概况

广州辰微电子科技有限公司模块电源产业项目选址在广州市黄埔区中新广州知识城新能源新材料及智能芯片园人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以东地块进行建设，主要从事功率半导体、系统集成封装产品的生产，年产功率半导体41.76万片，系统集成封装产品13050万个。项目年工作365天，每天3班，每班8小时。

环评机构

广州经济技术开发区怡地工程有限公司

主要环境影响及预防或减轻不良环境影响的对策和措施

1.系统集成封装产线产生的废气（TVOC、非甲烷总烃、颗粒物、锡及其化合物、环氧氯丙烷、酚类、甲苯）集中收集经二级活性炭处理，TVOC、非甲烷总烃应达到广东省《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1挥发性有机物排放限值，颗粒物、锡及其化合物应达到广东省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准，环氧氯丙烷、酚类、甲苯应达到《合成树脂工业污染物排放标准》（GB31572-2015）（含2024年修改单）后引至排气筒（DA001）高空排放，排气筒出口处距离地平面不低于15米。
2.功率半导体生产外延制备、化学气相沉积、干法刻蚀、原子层沉积等工序产生的工艺尾气（氟化物、氯气、氮氧化物、磷烷、硅烷、二氧化硫、TVOC、非甲烷总烃、氨气）通过完全密闭设备管道直连集中收集经设备自带的POU装置（等离子燃烧+水洗）预处理后，与显影、湿法清洗、湿法刻蚀等工序产生的废气（TVOC、非甲烷总烃、氯化氢、氟化氢、硫酸雾、氮氧化物、磷酸雾、氨）一并经密闭设备连接管道收集汇合后经两套碱液喷淋塔处理，TVOC、非甲烷总烃应达到广东省《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1挥发性有机物排放限值，氟化物、氯气、氯化氢、氮氧化物、硫酸雾、二氧化硫应达到广东省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准，磷烷、硅烷应达到《环境影响评价技术导则 制药建设项目》（HJ 611-2011）中的多介质环境目标值估算DMEG值和《荷兰排放导则》（NER）计算结果中的较严值，磷酸应达到上海市地方标准《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）表 1 大气污染物项目排放限值，氨应达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表2恶臭污染物排放标准值后引至排气筒（DA002、DA003）高空排放，排气筒出口处距离地平面不低于15米。
3.功率半导体生产涂胶、烘烤、湿法去胶、干燥洗等工序产生的有机废气（TVOC、非甲烷总烃）经密闭设备连接管道收集经“沸石转轮吸附浓缩+TO燃烧”处理，TVOC、非甲烷总烃应达到广东省《固定污染源挥发性有机物综合排放标准》（DB44/2367-2022）表1挥发性有机物排放限值，TO炉产生的燃烧废气（SO2、NOx、颗粒物）应达到广东省《大气污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二时段二级标准后引至排气筒（DA004）高空排放，排气筒出口处距离地平面不低于15米。
4.功率半导体生产金属层沉积工序产生的硫酸雾经密闭设备连接管道收集，应达到《电镀污染物排放标准》（GB21900-2008）表5新建企业大气污染物排放限值后引至排气筒（DA005）高空排放，排气筒出口处距离地平面不低于15米。
5.污水处理站产生的恶臭污染物经加盖密闭负压连接管道收集经“酸液喷淋+碱液喷淋”处理，氨、硫化氢、臭气浓度应达到《恶臭污染物排放标准》（GB14554-1993）表2恶臭污染物排放标准后引至排气筒（DA006）高空排放，排气筒出口处距离地平面不低于15米。

公众参与情况

项目受理公示期间无反馈意见。